RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3325
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link