RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
62
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
32
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2903
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link