RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
13.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2052
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link