RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
71
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
71
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link