RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
62
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
29
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3375
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link