RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
62
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
35
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2705
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link