RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
62
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
37
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
14.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2814
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link