RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3386
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link