RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3386
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link