RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
62
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
29
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3242
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link