RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
70
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
70
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1923
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link