RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3082
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link