RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
62
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость чтения
24.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
32
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
24.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
4001
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link