RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
18.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3562
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2K70CM0-YF8 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link