RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3564
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link