RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
62
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
31
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
18.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3414
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link