RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
62
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
25
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
19.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3933
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link