RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
62
Около -195% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
21
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
19.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3216
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre 0000 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link