RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
18.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3704
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link