RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
62
Около -182% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
22
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3288
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link