RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
62
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
23
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3171
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link