RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
14.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2690
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link