RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C-PB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C-PB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C-PB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C-PB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
62
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C-PB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
62
40
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
8.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1954
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C-PB 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link