RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link