RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
62
Около -182% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
22
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2493
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link