RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
62
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2138
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link