RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
107
Около 42% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.9
4.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
8.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
107
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
8.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
4.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1022
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link