RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Kingston 9905625-075.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
62
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
40
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
13.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2522
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link