RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Kingston 9905700-026.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
53
62
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
53
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2703
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link