RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
62
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
36
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2876
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link