RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3259
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link