RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
62
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
51
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
9.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2314
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link