RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
62
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
35
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2713
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link