RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
14.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2191
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link