RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
62
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
35
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3045
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link