RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
62
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
51
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
9.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2248
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link