RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
62
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
43
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
11.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2615
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link