RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
62
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
45
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
10.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2414
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link