RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
61
62
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
8.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
61
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
8.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link