RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
62
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
26
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
12.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1711
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link