RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
62
Около -244% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
18
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2422
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link