RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3143
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link