RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
28
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
19.6
Скорость записи, Гб/сек
7.1
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3252
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link