RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2988
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link