RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2988
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link