RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2755
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link