RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
2709
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston K1N7HK-HYC 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link