RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
17.9
Скорость записи, Гб/сек
7.1
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3443
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link