RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
7.1
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3135
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link