RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
7.1
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3135
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link