RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
19.2
Скорость записи, Гб/сек
7.1
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3680
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBZL 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link