RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
20.1
Скорость записи, Гб/сек
7.1
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
4060
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link