Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Kingston K1CXP8-MIE 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 42
    Около 33% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    15 left arrow 10.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 7.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 8500
    Около 3.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 42
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.9 left arrow 15.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.1 left arrow 11.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1668 left arrow 2790
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения